最近、南京大学のDu Yuan教授とDu Li教授のチームは、集積回路の高速相互接続の分野で大きな進歩を遂げました。研究チームは屏東（上海）半導体有限公司の研究チームと協力し、関連する科学研究結果は「短距離メモリ インターフェイス向けの 4 アグレッサー クロストーク キャンセルと電源ノイズ耐性を備えた 470Tb/s/mm 112Gb/s/ピン PAM4 シングルエンド トランシーバー」が、集積回路分野のトップ国際会議である ISSCC 2026 で発表されました。この成果は、超高エッジ帯域幅密度の世界記録を樹立することに成功しました。この製品は、AI インテリジェント コンピューティング コアと HBM ストレージ コアの間のインターフェイスの研究開発に適用され、国内の AI チップを国際的な先進レベルと比較するためのコア技術サポートを提供しています。
写真1 クイーンカジノ入金不要ボーナスの Du Yuan 教授と Du Li 教授のチームが ISSCC 2026 で論文を発表
ISSCC: 正式名称は IEEE International Solid-State Circuits Conference (International Solid-State Circuits Conference) で、集積回路設計の分野における最高レベルの国際学術会議として認識されています。
写真2 ISSCC 2026 メモリ インターフェイス支部会長と講演者が集合写真を撮影
写真3国際集積回路当局ベフザド・ラザフi教授私たちの学校の科学研究成果のデビューを目撃してくださいISSCC
高性能コンピューティングと人工知能技術の爆発的な発展により、HBM や UCIe などの短距離チップレット インターフェイスでは、高帯域幅および高密度伝送の需要が急増しています。シングルエンド信号伝送は、高帯域幅の I/O 密度を達成するための主流のソリューションとなっています。しかし、超高速伝送シナリオでは、業界は消費電力、クロストーク、電源ノイズという 3 つの厳しい課題に直面しています。——高次変調されたシングルエンド信号は、さまざまなタイプのノイズ干渉に対して非常に敏感です。従来のソリューションは低速伝送しかサポートできなかったり、電力消費と信号の完全性のバランスをとることができませんでした。これらは、多層インターポーザを使用した高密度アプリケーション シナリオに適応することが難しく、高速相互接続技術の開発を制限する中心的なボトルネックとなっています。
業界の問題点に直面して、研究チームは取り組んでいます28nm CMOSプロセスの下で、統合デバイスが設計されています4 ソースクロストークキャンセルと電源ノイズ抑制技術のルート 5シングルエンド112Gb/s/ピン PAM4 トランシーバー機械 (写真)4）、高密度短距離ストレージインターフェイスのシグナルインテグリティ問題を克服し、コア指標は国際レベルに到達先頭レベル。このチップの中核となる革新性と貢献は、主に 3 つの主要な側面に反映されています。
(1)消費量が少ないフロントエンド設計、エネルギー効率と信号補償を考慮: 低電力トリプルバランスドライバーと抵抗帰還アンプを開発終了プログラム、短距離チャネル特性に基づいた軽量のマルチ周波数イコライザーを設計し、実装91dB 信号損失の改善同時に、全体の電力消費量のみ38mW、エネルギー効率が大幅に向上します。
(2)四方向干渉源による高密度クロストークの問題の解決: 最初の四方向干渉源パルスマッチ遅延マッチングによるクロストーク キャンセル技術パルス波形フィッティング中、完全に閉店いたします112Gb/s PAM4 シグナル アイ ダイアグラム改善宛先atBER<10-9下の開口部はより大きいです160mUI x 40mVの有効アイ ダイアグラム、4 方向の実装クロストークソースの効果的な補償、超高密度で超高速信号を確実にサポートします。
(3)システムの堅牢性を向上させるアンチノイズ クロック: 設計に基づく送電線のグローバル クロック配信ネットワーク+電源ノイズ補償部分的クロック ネットワーク,大幅に削減電源ノイズが原因信号ジッター;at100mV 電源ノイズ下の信号見開いた目変動は以下に限定されます5%範囲内により、電源ノイズに対するシステムの耐性が大幅に向上します。
写真4プロトタイプのチップ アーキテクチャとテスト
テスト結果は、チップが次の性能を達成していることを示しています。了5 x 112Gb/秒下位ビット誤り率は以下より低いです10-9,達成世界をリードする470Tb/s/mm帯域幅密度と052pJ/bできる効率的で、過酷なクロストークや電源ノイズ環境に効果的に対処でき、信号の完全性と伝送の信頼性は従来のソリューションよりも大幅に優れています(写真5）。
写真5 帯域幅密度とエネルギー効率が国際トップレベルに達する
南京大学2024 年の博士課程学生、Liu Qian が筆頭著者です。この研究活動は、国家重点研究開発計画および江蘇省重点研究開発計画によって資金提供された。また、屏東（上海）半導体有限公司からの資金提供と技術支援も受けています。これは、本校が学校と企業の共同イノベーションを深化させ、科学研究成果の実装と変革を促進している優れた例です。
紙のリンク:http://ieeexploreieeeorg/document/11408977
